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第三百七十四章 苹果高通被气吐血(第三更) (第1/1页)
发布会现场,肖俊登上高台。 顿时,无数的长枪短炮都是对准肖俊,咔嚓咔嚓的拍个不停。 “各位,大家下午好,我是银河科技公司的董事长肖俊。今天,我们公司的产品发布会是发布一款第三代手机芯片。它依旧是银河系列银河-t3芯片!” “但是它和以往的两款芯片不一样,它是一种全新的手机芯片,没错,它就是采用全新的材料,抛弃了落后的硅晶材料,而是使用石墨烯材料。它就是石墨烯芯片!”肖俊高声道。 这句话一出,全场哗然! “什么?石墨烯芯片?我的天!这么说这个银河-t3芯片真的是让人眼前一亮啊。难道说银河科技公司的石墨烯技术已经达到了成熟的地步,可以生产出20纳米以下的石墨烯半导体了?”一个记者震惊的道。 “大家都知道,石墨烯未来是半导体行业的最佳材料之一。硅晶材料已经差不多走到了巅峰和尽头了。所以我们银河科技公司开创了首代石墨烯半导体技术!” “石墨烯因其超薄结构以及优异的物理特性,在fet应用上展现出了优异的性能和诱人的应用前景。与碳纳米管相比,石墨烯fet拥有更低的工作电压。wang等所制备的栅宽10nm以下的石墨烯带fet的开关比达等采用热蒸发4h-sic外延生长的石墨烯制备的fet,其电子和空xue迁移率分别为5,400和4,400cm2/,比传统半导体材料如sic和高很多lin等制备出栅长为350nm的高性能石墨烯fet,其载流子迁移率为2700cm2/!” “石墨烯具有极其优异的电学、光学、磁学、热学和力学性能,是理想的纳电子和光电子材料。不但具有极佳的导电性能,其热导率也远超已知的最好的热导体,基于石墨烯结构的电子器件可以有非常好的高频响应,对于弹道输运的晶体管其工作频率有望超过thz,性能优于所有已知的半导体材料!” “硅晶的硅基从7到5nm技术,芯片速度大约有20%的增加。但石墨烯7nm技术较硅基7nm技术速度的提高高达300%,相当代硅基技术的改善!”肖俊灼灼而谈。 “而我们的这一款银河-t3芯片,就是采用这样子的技术,它依旧是六核,但是它的单核跑分可以达到2.1万分,多核跑分可以达到5.4万分以上!它的多核主频是10.5ghz!最主要是石墨烯材料它散热性好,功率消耗低,到时候搭载的手机,手机绝对不会出现玩游戏手机发烫,刷抖音手机发烫的情况出现。而且它由于功率小,耗电小,所以在手机电池的续航能力上面添砖盖瓦!”肖俊道。 “我的天?我没有听错吧?单核跑分可以达到恐怖的2万分以上?多核跑分达到了恐怖的5万分以上?多核主频竟然达到了惊人的10.05ghz!我的天啊,昨天苹果和高通发布的曙光一号单核跑分才一万啊,多核跑分不到三万。现在是直接领先对方一半的性能啊!而且10.5ghz已经达到了一个恐怖的地步,开创了一个新台阶……”一个记者震惊的道。
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